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Quale delle seguenti affermazioni NON è corretta? |
1) Un task non può essere pronto se non è attivo.2) Un task attivo non può essere pronto.3) Un task non può essere attivo prima dell'evento che lo scatena.4) Un task in esecuzione è attivo.
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2 |
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Quale delle seguenti affermazioni è corretta? |
1) Quando il numero massimo di Task paralleli è maggiore del numero di unità di calcolo disponibili nel sistema di controllo, bisogna pianificare una strategia di SCHEDULING, ovvero di PARALLELISMO REALE.2) Nessuna delle altre risposte è corretta3) Quando il numero massimo di Task paralleli è maggiore del numero di unità di calcolo disponibili nel sistema di controllo, bisogna pianificare una strategia di SCHEDULING, ovvero di PARALLELISMO LOGICO.4) Quando il numero massimo di Task paralleli è minore o uguale del numero di unità di calcolo disponibili nel sistema di controllo, bisogna pianificare una strategia di SCHEDULING, ovvero di PARALLELISMO LOGICO.
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3 |
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria async SRAM? |
1) lavora in modo asincrono rispetto al clock della CPU e ciò comporta stati di attesa della CPU (wait state) per l'accesso. Viene utilizzata come cache di primo livello2) viene alimentata periodicamente per evitare la perdita di dati. E' discretamente veloce, è energivora, ma ha una densità altissima e quindi basso costo per Mbyte3) lavorano in sincronia con il clock della CPU. Hanno quindi tempi di attesa molto ridotti (o annullati). Viene utilizzata come cache di primo livello4) lavora in modo asincrono rispetto al clock della CPU e ciò comporta stati di attesa della CPU (wait state) per l'accesso. Viene utilizzata come cache di secondo livello
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria sync SRAM? |
1) lavorano in sincronia con il clock della CPU. Hanno quindi tempi di attesa molto ridotti (o annullati). Viene utilizzata come cache di primo livello2) viene alimentata periodicamente per evitare la perdita di dati. E' discretamente veloce, è energivora, ma ha una densità altissima e quindi basso costo per Mbyte3) lavorano in sincronia con il clock della CPU. Hanno quindi tempi di attesa molto ridotti (o annullati). Viene utilizzata come cache di secondo livello4) lavora in modo asincrono rispetto al clock della CPU e ciò comporta stati di attesa della CPU (wait state) per l'accesso. Viene utilizzata come cache di secondo livello
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria DRAM? |
1) viene alimentata periodicamente per evitare la perdita di dati. E' discretamente veloce, è energivora, ma ha una densità altissima e quindi basso costo per Mbyte2) una volta scritta entra in idle e non richiede ulteriore alimentazione. Ma se non alimentata può perdere le informazioni immagazzinate pertanto NON è come una EEPROM. E' molto veloce, consuma poco, di semplice progettazione ma di bassa densità e quindi di alto costo per Mbyte3) lavora in modo asincrono rispetto al clock della CPU e ciò comporta stati di attesa della CPU (wait state) per l'accesso. Viene utilizzata come cache di secondo livello4) lavorano in sincronia con il clock della CPU. Hanno quindi tempi di attesa molto ridotti (o annullati). Viene utilizzata come cache di primo livello
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1 |
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria EEPROM? |
1) può essere cancellata elettricamente, facilitando pertanto il processo di aggiornamento del firmware del controllore2) viene scritta con processi dedicati una sola volta. Viene generata una maschera ed essa viene stampata sul circuito. Ogni modifica, implica modificare la maschera a discapito della versatilità del processo di produzione3) viene scritta una sola volta bruciando dei fusibili che attivano la rete logica. Si creano quindi delle ROM vergini che vengono "bruciate"4) può essere riscritta più volte. Il processo di scrittura avviene elettricamente con un processo noto con breakdown a valanga in cui si applica una tensione di programmazione molto superiore a quella di funzionamento. La cancellazione avviene attraverso l'uso di raggi ultravioletti, in maniera manuale
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1 |
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria EPROM? |
1) viene scritta con processi dedicati una sola volta. Viene generata una maschera ed essa viene stampata sul circuito. Ogni modifica, implica modificare la maschera a discapito della versatilità del processo di produzione2) viene scritta una sola volta bruciando dei fusibili che attivano la rete logica. Si creano quindi delle ROM vergini che vengono "bruciate"3) può essere riscritta più volte. Il processo di scrittura avviene elettricamente con un processo noto con breakdown a valanga in cui si applica una tensione di programmazione molto superiore a quella di funzionamento. La cancellazione avviene attraverso l'uso di raggi ultravioletti, in maniera manuale4) può essere cancellata elettricamente, facilitando pertanto il processo di aggiornamento del firmware del controllore
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3 |
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Quale delle seguenti definizioni è adatta per la memoria PROM? |
1) può essere riscritta più volte. Il processo di scrittura avviene elettricamente con un processo noto con breakdown a valanga in cui si applica una tensione di programmazione molto superiore a quella di funzionamento. La cancellazione avviene attraverso l'uso di raggi ultravioletti, in maniera manuale2) può essere cancellata elettricamente, facilitando pertanto il processo di aggiornamento del firmware del controllore3) viene scritta una sola volta bruciando dei fusibili che attivano la rete logica. Si creano quindi delle ROM vergini che vengono "bruciate"4) viene scritta con processi dedicati una sola volta. Viene generata una maschera ed essa viene stampata sul circuito. Ogni modifica, implica modificare la maschera a discapito della versatilità del processo di produzione
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